特許
J-GLOBAL ID：200903021420520495
半導体分布ブラッグ反射鏡、面発光型半導体レーザ並びにこれを用いた光送信モジュール、光送受信モジュール及び光通信システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏木 慎史 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286317
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100834
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】 少ない積層数で高い反射率が得られる半導体分布ブラッグ反射鏡を提供する。【解決手段】 Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(ただし、0<x≦1)よりAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>P(ただし、0<x≦1)の方がバンドギャップは大きく、また、屈折率が小さいことから、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(ただし、0<x≦1)にPを加えたAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>P<SB></SB><SB>y</SB>As<SB>1-y</SB>(ただし、0<x≦1,0<y<1)の屈折率はAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Asより小さくなるので、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>P<SB>y</SB>As<SB>1-y</SB>層3を低屈折率層として用いることで高屈折率層4との屈折率差が大きくなり、高反射率の半導体分布ブラッグ反射鏡1を少ない積層数で実現できる。この際、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Asでは格子整合できないが、Pを添加することでGaAs基板2に完全に格子整合させることもできる。
請求項（抜粋）：
屈折率が周期的に変化する構造を有して入射光を光波干渉により反射させる半導体分布ブラッグ反射鏡において、反射鏡はGaAs半導体基板上に形成され、低屈折率部分を形成する半導体の少なくとも一部はAl,P及びAsを同時に含むAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>P<SB>y</SB>As<SB>1-y</SB>層(ただし、0<x≦1,0<y<1)であることを特徴とする半導体分布ブラッグ反射鏡。
Fターム (11件)：
5F073AA62
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA01
, 5F073BA04
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073EA05
, 5F073EA23
, 5F073EA28
