特許
J-GLOBAL ID：200903047739938734
垂直空胴レーザ放出部品とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249832
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116228
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 1.3μmから1.55μmの範囲の波長で表面を通じて放出する垂直空胴レーザ放出部品およびその製造方法の提供。【解決手段】 放出波長で反射する2枚の鏡(2,6)と、2枚の鏡(2,6;)の間に置かれて、放出された放射線の増幅媒体(4)を構成する層とを有するスタックを備えた垂直空胴レーザ放出部品。増幅媒体(4)の付近で、少なくとも1枚の鏡(2)が、0.8≦x≦1として、AlxGa1-xAsの層(2a,16)を呈し、その層は増幅媒体(4)の活性中央領域の周囲が選択的に酸化される。その製造方法として、2つのサンプルを、1つはInP基体の上で、他の1つはGaAs基体の上で、エピタキシャル成長させ、得られた2つのサンプルを、第2のサンプルのGaAs層を第1のサンプルのInP基体上でエピタキシャル接着し、そのようにして得られたサンプルをその後でエッチングし、さらに加水分解により酸化する。
請求項（抜粋）：
放出波長で反射する2枚の鏡(2,6;11,18)と、2枚の鏡(2,6;11,18)の間に置かれた、放出された放射線の増幅媒体(4,13)を構成する1つまたは複数の層とを有するスタックを備え、1.3μmから1.55μmの範囲の波長で表面を通じて放出する垂直空胴レーザ放出部品において、増幅媒体(4,13)の付近で、少なくとも1つの鏡(2;16,17,18)が、xを0.8から1の範囲に含まれる数として、AlxGa1-xAsの層(2a,16)を呈し、その層は増幅媒体(4,13)の活性中央領域の周囲が選択的に酸化されている(2ai)および2aii))ことを特徴とする垂直空胴レーザ放出部品。
引用特許：
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