特許

J-GLOBAL ID：200903021427536338

GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板及びその製造方法

発明者： 上野 昌紀 ,  高須賀 英良 ,  ス-ジン チュア ,  ペン チェン
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  インスティテュート オブ マテリアルズ リサーチ アンド エンジニアリング
代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  阿部 豊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-197548
公開番号（公開出願番号）：特開2004-035360
出願日： 2002年07月05日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】エピタキシャル層表面の平坦化及び当該エピタキシャル層内の結晶欠陥の低減が可能なGaN単結晶基板、窒化物系化合物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るGaN単結晶基板11は、研磨された表面が、少なくともNH3ガスを含む混合ガス雰囲気中、基板温度990°C以上1010°C以下で熱処理されて、表面に複数の孔13が形成されている。この基板11表面に化合物半導体層12を適当な成長条件でエピタキシャル成長させた場合、基板11から半導体層12への貫通転位の伝搬が抑制されつつ基板11表面の孔13が埋まって、当該基板表面が平坦化される。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

研磨された表面が、少なくともNH3ガスを含むガス雰囲気中、基板温度990°C以上1010°C以下で熱処理されて、前記表面に複数の孔が形成されたことを特徴とするGaN単結晶基板。

IPC (4件)：

C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  C30B33/02 ,  H01L21/205

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C30B33/02 ,  H01L21/205

Fターム (20件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DA01 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077SC01 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045HA06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-052656   出願人：住友電気工業株式会社