化合物半導体の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052656
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252217
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 GaN単結晶基板上に良好な窒化物系化合物半導体層を形成することが可能な化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 GaN単結晶基板1上に形成された窒化物系化合物半導体層2を備える化合物半導体の製造方法において、GaN単結晶基板1をアンモニアガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱した後、窒化物系化合物半導体層2の原材料をGaN単結晶基板1上に供給して窒化物系化合物半導体層を形成する。

請求項（抜粋）：

GaN単結晶基板上に形成された窒化物系化合物半導体層を備える化合物半導体の製造方法において、前記GaN単結晶基板をアンモニアガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱した後、前記窒化物系化合物半導体層の原材料を前記GaN単結晶基板上に供給して前記窒化物系化合物半導体層を形成することを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/08 , H01L 21/324 , H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/205 , H01L 21/08 , H01L 21/324 X , H01L 21/324 R , H01L 33/00 C

Fターム (19件)：

5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AA07 , 5F045AB14 , 5F045AB40 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF04

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-267899 出願人：松下電器産業株式会社

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