特許

J-GLOBAL ID：200903021448328760

パッシベーション用途のための低温プロセス

発明者： シャオ, マーク ,  タケハラ, タカコ ,  シャン, クアンユァン ,  ハーシュバーガー, ウイリアム, アール.
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  野田 雅一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-558687
公開番号（公開出願番号）：特表2006-510170
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

基板上のアノード層と、該アノード層上の有機層と、該有機層上のカソード層とを備えた有機エレクトロルミネセント装置。一実施形態において、カソード層は、該カソードの上に保護層を堆積する前にH2プラズマを受ける。別の実施形態では、有機エレクトロルミネセント装置は、カソード層上の内側カプセル化層と、該内側カプセル化層上の外側カプセル化層とでカプセル化される。内側層は、カソード層へ付着するのに最適とされる。

請求項（抜粋）：

電子装置の上層に保護被覆を堆積する前に前記上層にH2プラズマを受けさせるようにした有機エレクトロルミネセント装置を備えた電子装置。

IPC (7件)：

H05B 33/10 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/318 ,  H05B 33/04 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26

FI (7件)：

H05B33/10 ,  C23C16/02 ,  H01L21/318 B ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/26 Z

Fターム (24件)：

3K007AB12 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA06 ,  4K030DA02 ,  4K030FA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA11 ,  4K030JA16 ,  4K030LA18 ,  5F058BA10 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 有機EL素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-340540   出願人：出光興産株式会社
• 発光装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-016258   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所