特許

J-GLOBAL ID：200903021499418976

半導体ウェーハの製造方法

発明者： 金澤 修一 ,  濱田 兼治 ,  鈴木 一彦
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-237177
公開番号（公開出願番号）：特開平10-058440
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：

【要約】【課題】 両面に不純物拡散層を形成した半導体ウェーハを一括してマルチワイヤソーで表面に平行に2分割する場合、ウェーハの厚さのバラツキに起因する分割後のウェーハの厚さのバラツキを一定限度以下に抑える。【解決手段】 ウェーハ2の相互の面を当接させて並べ、その間に所定枚数ごとの厚さの累積誤差を打ち消すように寸法を調整したスペーサ4を配置する。前記ウェーハ2、スペーサ4の外周の一部をスライス台3に貼着し、スライス台3をブロック5に固定してマルチワイヤソーに取り付ける。任意のウェーハ2aにおける厚さの中心がワイヤー6の中心線に一致するようにブロック5の位置を調整し、ウェーハ2をスライスする。ウェーハを所定の枚数ごとに組分けし、各組を所定間隔だけ離間してマルチワイヤソーに取り付け、各組ごとに任意のウェーハの厚さの中心がワイヤー6の中心線に一致するように前記間隔を調整してもよい。

請求項（抜粋）：

両面に不純物の拡散層を形成した半導体ウェーハを表面に平行にスライスする拡散ウェーハの2分割工程において、ウェーハ相互の面を当接させて多数個並べ、ワイヤソーにより一括してスライスすることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

B28D 5/04 ,  H01L 21/304 311

FI (2件)：

B28D 5/04 C ,  H01L 21/304 311 W

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-036530
  
• 半導体ウエーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-169851   出願人：直江津電子工業株式会社