特許

J-GLOBAL ID：200903021512343964

硫化亜鉛-酸化ケイ素焼結体ターゲットの製造方法

発明者： 瀬 戸 康 博 ,  葛 城 成 吾
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145214
公開番号（公開出願番号）：特開平10-338573
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 安全なホットプレス法により高密度のZnS-SiO2焼結体ターゲットを製造する方法を提供する。【解決手段】 SiO2を10〜30mol%含み、残部がZnSおよび不可避的不純物からなり、密度が3.3g/cc以上である硫化亜鉛-酸化ケイ素焼結体ターゲットの製造方法であって、原料として平均粒径5〜100μm、嵩比重0.5g/cc以上のSiO2を用い、900〜1000°Cの温度で、250kgf/cm2 以上の圧力でホットプレスすることを特徴とする、硫化亜鉛-酸化ケイ素焼結体ターゲットの製造方法。

請求項（抜粋）：

SiO2を10〜30mol%含み、残部がZnSおよび不可避的不純物からなり、密度が3.3g/cc以上である硫化亜鉛-酸化ケイ素焼結体ターゲットの製造方法であって、原料として平均粒径5〜100μm、嵩比重0.5g/cc以上のSiO2を用い、900〜1000°Cの温度でホットプレスすることを特徴とする、硫化亜鉛-酸化ケイ素焼結体ターゲットの製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/547 ,  C23C 14/34 ,  G11B 7/26

FI (3件)：

C04B 35/00 T ,  C23C 14/34 A ,  G11B 7/26

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光記録保護膜用スパッタリング・ターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-241148   出願人：同和鉱業株式会社
• パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-232855   出願人：三菱マテリアル株式会社