特許
J-GLOBAL ID:200903021516678529
金属酸窒化物膜被着方法及び金属酸窒化物膜形成方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 西山 雅也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-153480
公開番号(公開出願番号):特開2004-349710
出願日: 2004年05月24日
公開日(公表日): 2004年12月09日
要約:
【課題】 基材上に誘電体ゲートのような誘電体用途で使用するのに適した酸窒化Zr及びHf膜(ZrOxNy及びHfOxNy)、酸窒化ケイ素Zr及びHf膜(Zr(Si)zOxNy及びHf(Si)zOxNy)を形成する方法を提供すること。【解決手段】 Zr又はHfを含有する気体の形の前駆物質を化学気相成長室へ供給し、当該化学気相成長室への供給の前に酸素源及び窒素源と当該前駆物質との混合が起こらないように、当該成長室へ酸素源と窒素源を別に供給して当該化学気相成長室中で反応混合物を作り、そして得られた反応混合物を当該化学気相成長室内の高温に加熱した基材と接触させて酸窒化Zr又はHf膜を被着するようにする。酸窒化ケイ素Zr又はHf膜を作るには、上記の反応混合物にケイ素源を加える。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
酸窒化Zr及びHf膜からなる群より選ばれる金属酸窒化物の膜を形成するための被着方法であって、
A.(a)Zr及びHfを含有する気体の形の前駆物質からなる群より選ばれる前駆物質を化学気相成長室へ供給し、そして
(b)当該化学気相成長室への供給の前に酸素源及び窒素源と当該前駆物質との混合が起こらないように、当該成長室へ酸素源と窒素源を別に供給すること、
により当該化学気相成長室中で反応混合物を作ること、及び
B.得られた反応混合物を当該化学気相成長室内の高温に加熱した基材と接触させて金属酸窒化物の膜を被着すること、
を含む金属酸窒化物膜被着方法。
IPC (3件):
H01L21/318
, C23C16/30
, C23C16/455
FI (3件):
H01L21/318 C
, C23C16/30
, C23C16/455
Fターム (26件):
4K030AA01
, 4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA14
, 4K030AA24
, 4K030BA10
, 4K030BA22
, 4K030BA35
, 4K030BA48
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030LA15
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BC09
, 5F058BF02
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF30
, 5F058BJ04
引用特許:
出願人引用 (2件)
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米国特許第6503561号明細書
-
米国特許第6291867号明細書
審査官引用 (2件)
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