特許
J-GLOBAL ID：200903021517944524
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-082080
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244113
出願日： 2007年03月27日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】簡易な方法で同一半導体基板上に、ゲート絶縁膜の膜厚、又は閾値電圧が異なる3種類のMOSトランジスタを有する半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、第1マスクを用いて半導体基板に対して第1イオン注入を行い、第2マスクを用いて前記半導体基板に対して第2イオン注入を行い、第3マスクを用いて前記半導体基板に対して第3イオン注入を行う工程を備え、第3マスクは、膜厚が互いに異なる第1ゲート絶縁膜と第2ゲート絶縁膜を形成するために用いられ、第1MOSトランジスタの閾値電圧調整は、第1イオン注入によって行われ、第2MOSトランジスタの閾値電圧調整は、第2及び第3イオン注入によって行われ、第3MOSトランジスタの閾値電圧調整は、第1及び第3イオン注入によって行われる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
同一の半導体基板上に同一導電型の第1、第2及び第3MOSトランジスタを備え、第1MOSトランジスタは、第1ゲート絶縁膜を有し、第2及び第3MOSトランジスタは、第1ゲート絶縁膜よりも膜厚が薄い第2ゲート絶縁膜を共通に有する半導体装置の製造方法であって、
第1及び第3MOSトランジスタが形成される領域に開口部を有する第1マスクを用いて前記半導体基板に対して第1イオン注入を行い、
第2MOSトランジスタが形成される領域に開口部を有する第2マスクを用いて前記半導体基板に対して第2イオン注入を行い、
第2及び第3MOSトランジスタが形成される領域に開口部を有する第3マスクを用いて前記半導体基板に対して第3イオン注入を行うと共に膜厚が互いに異なる第1及び第2ゲート絶縁膜を形成する工程を備え、
第1MOSトランジスタの閾値電圧調整は、第1イオン注入によって行われ、
第2MOSトランジスタの閾値電圧調整は、第2及び第3イオン注入によって行われ、
第3MOSトランジスタの閾値電圧調整は、第1及び第3イオン注入によって行われる半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/823
, H01L 27/088
H01L27/08 102C
, H01L27/08 102B
5F048AA07
, 5F048AA09
, 5F048AC01
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BA15
, 5F048BB03
, 5F048BB15
, 5F048BB16
, 5F048BD04
, 5F048BE03
, 5F048BG13
