半導体製造装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-271639
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086443
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【課題】簡易な方法で同一半導体基板上に、ゲート絶縁膜の膜厚、又は閾値電圧が異なる3種類のMOSトランジスタを製造する方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、同一半導体基板上に、所定厚さの第1ゲート絶縁膜を有する第1のMOSトランジスタと、第1ゲート絶縁膜よりも薄い第2ゲート絶縁膜を共通に有する第2及び第3のMOSトランジスタとを備え、第3のMOSトランジスタは、その閾値電圧が第2のMOSトランジスタより低い半導体装置の製造方法において、第1及び第3のMOSトランジスタの閾値電圧調整のために第1のイオン注入を行う工程と、第2のMOSトランジスタの閾値電圧調整のために第1のイオン注入とは注入条件の異なる第2のイオン注入を行う工程を備えることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同一半導体基板上に、所定厚さの第1ゲート絶縁膜を有する第1のMOSトランジスタと、第1ゲート絶縁膜よりも薄い第2ゲート絶縁膜を共通に有する第2及び第3のMOSトランジスタとを備え、第3のMOSトランジスタは、その閾値電圧が第2のMOSトランジスタより低い半導体装置の製造方法において、第1及び第3のMOSトランジスタの閾値電圧調整のために、第1のイオン注入を行う工程と、第2のMOSトランジスタの閾値電圧調整のために、第1のイオン注入とは注入条件の異なる第2のイオン注入を行う工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/265 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L27/08 102C , H01L21/265 H , H01L27/08 321D

Fターム (14件)：

5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA15 , 5F048BB03 , 5F048BB11 , 5F048BB15 , 5F048BB16 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-065787 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (10件)

特開昭54-048179
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-402025 出願人：シャープ株式会社
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-255230 出願人：株式会社日立製作所, 日本電気株式会社

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