特許
J-GLOBAL ID：200903021571978507
半導体ウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐々木 功
, 川村 恭子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-104038
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311767
出願日： 2003年04月08日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】ワイヤーボンディングによりバンプが形成される半導体ウェーハを製造する場合において、バンプをボンディングパッドに容易に形成すると共に、バンプの頭部の高さを均一にする。【解決手段】半導体ウェーハ10の表面に形成されたボンディングパッド11にワイヤーボンディングによりバンプ14を形成するバンプ形成工程と、バンプ14が埋没するように表面に樹脂を被覆して樹脂層15を形成する樹脂被覆工程と、樹脂層15を研削してバンプ14を表出させ、バンプ14の高さを揃える研削工程とから構成される半導体ウェーハの製造方法を提供する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの表面に形成されたボンディングパッドにワイヤーボンディングによりバンプを形成するバンプ形成工程と、
該バンプが埋没するように該表面に樹脂を被覆して樹脂層を形成する樹脂被覆工程と、
該樹脂層を研削して該バンプを表出させる研削工程と
から構成される半導体ウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/60
, H01L21/56
, H01L23/12
H01L21/92 604J
, H01L21/56 R
, H01L23/12 501T
5F061AA01
, 5F061BA07
, 5F061CA10
, 5F061CB13
