特許
J-GLOBAL ID：200903094619783662
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000892
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200800
出願日： 1999年01月06日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、ビアポストの高さのバラツクを極力小さくでき且つ半導体装置の製造時間の短縮を達成することのできるようにすることを目的とする。【解決手段】 半導体ウエハ12と、半導体ウエハの回路面に形成されたビアポスト14と、半導体ウエハ及びビアポストを被覆した封止樹脂16と、ビアポストの先端と接続した実装端子18を備え、該ビアポスト14がスタッドパンプにより構成される構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、半導体素子の回路面に形成されたビアポストと、半導体素子及びビアポストを被覆した封止樹脂と、ビアポストの先端と接続された実装端子を備え、該ビアポストがスタッドパンプにより構成されることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/92 602 P
, H01L 21/92 602 K
