特許
J-GLOBAL ID：200903021589061660
集積化薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081072
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280579
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 縁研磨に伴うセル面の損傷、セル性能の低下、ひいては歩留りの低下を防止できる集積化薄膜太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板(1)上に形成された透明電極層(2)をスクライブして分離する工程と、透明電極層(2)上に光電変換半導体層(4,5)を成膜した後、光電変換半導体層をスクライブして接続用溝を形成する工程と、光電変換半導体層(4,5)上に裏面電極層(7)を成膜した後、裏面電極層および光電変換半導体層をスクライブして分離する工程とを有する集積化薄膜太陽電池の製造方法において、光電変換半導体層(4,5)を成膜する前に、ガラス基板(1)の周縁部に形成されている透明電極層(2)を除去する。
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板上に形成された透明電極層をスクライブして分離する工程と、前記透明電極層上に光電変換半導体層を成膜した後、光電変換半導体層をスクライブして接続用溝を形成する工程と、前記光電変換半導体層上に裏面電極層を成膜した後、裏面電極層および光電変換半導体層をスクライブして分離する工程とを有する集積化薄膜太陽電池の製造方法において、前記光電変換半導体層を成膜する前に、前記透明絶縁基板の周縁部に形成されている透明電極層を除去することを特徴とする集積化薄膜太陽電池の製造方法。
Fターム (10件)：
5F051AA03
, 5F051AA05
, 5F051BA12
, 5F051CB30
, 5F051DA04
, 5F051DA15
, 5F051EA16
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA07
