半導体集積回路

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032636
公開番号（公開出願番号）：特開2001-222885
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】並列動作可能なメモリブロックに対するリードデータの外部出力動作のスループットを改善する。【解決手段】並列動作可能な複数個のメモリブロック(BNK0〜BNK7)から読み出されたリードデータを外部インタフェース手段から外部に出力不可能な状態に呼応して保持する事が可能なリードバッファ(RB0〜RB3)と、前記出力不可能な状態が解消されているとき前記メモリブロックから読み出されたリードデータ又は前記リードバッファから読み出されたリードデータを選択して前記外部インタフェース手段に与える選択手段(40,41,42)とを設ける。これにより、リードデータの出力動作でリソース競合の虞があればリードバッファに蓄え、虞が無ければリードデータを直接外部に出力することができ、リードデータ出力動作のスループットが向上する。

請求項（抜粋）：

並列動作可能な複数個のメモリブロックと、外部からライトデータを入力可能であって外部へリードデータを出力可能な外部インタフェース手段と、前記メモリブロックから読み出されたリードデータを前記外部インタフェース手段から外部に出力不可能な状態に呼応して保持する事が可能なリードバッファと、前記出力不可能な状態が解消されているとき前記メモリブロックから読み出されたリードデータ又は前記リードバッファから読み出されたリードデータを選択して前記外部インタフェース手段に与える選択手段と、を有して成るものであることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

G11C 11/401 , G06F 12/08

FI (4件)：

G06F 12/08 Q , G06F 12/08 M , G06F 12/08 E , G11C 11/34 371 Z

Fターム (6件)：

5B005JJ11 , 5B005MM23 , 5B005NN73 , 5B024AA15 , 5B024BA29 , 5B024CA16

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平2-297791
記憶装置及びDRAMの制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-333652 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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