特許

J-GLOBAL ID：200903021613583060

HDP-CVDを用いて高いアスペクト比のギャップ充填を達成するためのガス化学サイクリング

発明者： マイケル チュウ ワン ,  エリック リュー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-255150
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141349
出願日： 2001年08月24日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 少なくとも6:1のアスペクト比を有するギャップの中に誘電膜を堆積するための方法及び装置を提供する。【解決手段】 堆積とエッチング条件の間に高密度プラズマ化学気相堆積システムのガス化学をサイクリングすることによって、ギャップを実質的に100%充填し、このような充填は、堆積段階中に堆積対スパッタリングの比がある所定の限定以内にあるように前駆体ガスの流速を調節することによって、達成される。

請求項（抜粋）：

プロセスチャンバにおける基板の上に誘電膜を堆積する方法であって、(a) 第1の堆積ガスと第1の不活性ガスソースとを含む第1のガス混合物をプロセスチャンバに提供するステップと、(b) 第1のガス混合物から第1の高密度プラズマを生成して、第1のブランケットスパッタリング速度に対して第1の正味(net)堆積速度と第1のブランケットスパッタリング速度との合計の比として定義された第1の堆積/スパッタリング比が5から20の範囲内で、上記基板上の膜の第1部分を堆積するステップと、(c) その後、上記基板を冷却するステップと、(d) その後、エッチングガスをプロセスチャンバ内に流入させるステップと、(e) その後、第2の堆積ガスと第2の不活性ガスソースとを含む第2のガス混合物をプロセスチャンバに提供するステップと、(f) 第2のガス混合物から第2の高密度プラズマを生成して、上記基板上の膜の第2部分を堆積するステップと、を備え、上記の方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/52 ,  H01L 27/10 625 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 21/76 L

Fターム (23件)：

4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F032AA34 ,  5F032AA43 ,  5F032AA44 ,  5F032DA04 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF12 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG10 ,  5F058BH10 ,  5F058BJ06 ,  5F083AD15 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 低誘電率膜用高堆積率レシピ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-154646   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-217910   出願人：三星電子株式会社