特許

J-GLOBAL ID：200903021614501904

強誘電体薄膜およびその製造方法

発明者： 矢野 義彦 ,  野口 隆男
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-039802
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223476
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 Si単結晶基板上に強誘電体薄膜、特にPbTiO3強誘電体薄膜を形成するに際し、膜内の応力を制御して自発分極値の低下を防ぐことを目的とする。【解決手段】 Si単結晶基板上に形成されたエピタキシャル強誘電体薄膜であり、この強誘電体薄膜の結晶面のうち、前記Si単結晶基板表面の結晶面に平行な結晶面をZF面とし、ZF面間の距離をzFとし、強誘電体薄膜構成材料のバルク状態でのZF面間の距離をzF0としたとき、0.980≦zF/zF0≦1.010である強誘電体薄膜。

請求項（抜粋）：

Si単結晶基板上に形成されたエピタキシャル強誘電体薄膜であり、この強誘電体薄膜の結晶面のうち、前記Si単結晶基板表面の結晶面に平行な結晶面をZF面とし、ZF面間の距離をzFとし、強誘電体薄膜構成材料のバルク状態でのZF面間の距離をzF0としたとき、0.980≦zF/zF0≦1.010である強誘電体薄膜。

IPC (11件)：

H01G 7/06 ,  C30B 29/32 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/14 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02

FI (8件)：

H01G 7/06 ,  C30B 29/32 D ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-243232   出願人：旭化成工業株式会社, 垂井康夫