特許
J-GLOBAL ID:200903021622177954

基板処理方法および基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 振角 正一 ,  梁瀬 右司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-011710
公開番号(公開出願番号):特開2008-177495
出願日: 2007年01月22日
公開日(公表日): 2008年07月31日
要約:
【課題】処理液で濡れた基板表面を乾燥させる際に低コストで基板表面を良好に乾燥させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】リンス処理後に基板表面Wfに混合液(IPA+DIW)を供給して基板表面Wfに付着しているリンス液を混合液に置換する。これにより、基板表面Wfに形成されているパターンFPの間隙に付着するリンス液が混合液に置換される。続いて、ミスト供給ノズル9からDIWをミスト状に基板表面Wfに供給してDIWによるパドル状の液体層21を基板表面Wfに形成する。これにより、パターンFPの間隙内部に入り込んでいる混合液をほぼ残した状態で表層部分の混合液が基板表面Wfから除去される。その後、液体層21を基板表面Wfから除去して基板表面Wfを乾燥させる。【選択図】図6
請求項(抜粋):
処理液で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理方法において、 前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を略水平姿勢で保持された基板の表面に供給して該基板表面に付着している前記処理液を前記低表面張力溶剤に置換させる置換工程と、 前記処理液と同一組成の液体または前記処理液と主成分が同一である液体を前記置換工程後に前記基板表面に供給して前記液体によるパドル状の液体層を前記基板表面に形成する液体層形成工程と、 前記液体層を前記基板表面から除去して該基板表面を乾燥させる乾燥工程と を備え、 前記液体層形成工程では、前記液体をミスト状に前記基板表面に供給することを特徴とする基板処理方法。
IPC (1件):
H01L 21/304
FI (2件):
H01L21/304 651B ,  H01L21/304 643A
引用特許:
出願人引用 (2件)

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