特許
J-GLOBAL ID：200903066167112907

基板処理装置及び基板処理方法

発明者：
谷山 博己

谷山 博己 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 康司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369627
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168668
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】 流体混合ノズルを用いて疎水性ウェハの処理を行うことができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】 処理液を供給する処理液供給手段66と,不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段67と,前記処理液に前記不活性ガスを混合して基板に吐出する流体混合ノズル65を備え,前記処理液によって基板を処理する基板処理装置において,前記不活性ガス供給手段67に,前記処理液の表面張力を低下させる流体IPAと前記不活性ガスとを混合する液体混合手段97bを備えた。
請求項（抜粋）：
処理液を供給する処理液供給手段と,不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と,前記処理液に前記不活性ガスを混合して基板に吐出する流体混合ノズルを備え,前記処理液によって基板を処理する基板処理装置であって,前記不活性ガス供給手段に,前記処理液の表面張力を低下させる流体と前記不活性ガスとを混合する流体混合手段を備えたことを特徴とする,基板処理装置。
IPC (7件)：
H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 647 ,  B08B 3/02 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  C03C 23/00
FI (8件)：
H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/304 643 C ,  H01L 21/304 647 Z ,  B08B 3/02 B ,  B08B 3/02 D ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  C03C 23/00 A
Fターム (28件)：
2H088FA11 ,  2H088FA17 ,  2H088FA21 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088MA04 ,  2H088MA16 ,  2H088MA20 ,  2H090JC08 ,  2H090JC18 ,  2H090JC19 ,  3B201AA01 ,  3B201AB23 ,  3B201AB32 ,  3B201AB43 ,  3B201BB22 ,  3B201BB38 ,  3B201BB52 ,  3B201BB90 ,  3B201BB93 ,  3B201BB95 ,  3B201BB99 ,  3B201CC13 ,  3B201CD33 ,  3B201CD41 ,  4G059AA08 ,  4G059AB19 ,  4G059AC30
引用特許：
審査官引用 (3件)

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