特許
J-GLOBAL ID:200903021636245774

光検出器一体型表面光レーザとこれを用いた光ピックアップ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-102887
公開番号(公開出願番号):特開平8-330679
出願日: 1996年04月24日
公開日(公表日): 1996年12月13日
要約:
【要約】【課題】 光検出器一体型表面光レーザとこれを用いた光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】 表面光レーザは半導体基板と、該半導体基板上に積層されて入射される光を吸収するための真性バッファー層と、真性バッファー層上に積層された第1電極層とを有する光検出器と、第1電極層上に積層されて入射される光の大部分を反射させ、一部を透過させるための第1反射器と、該第1反射器上に積層されて光を生成するための活性層と、活性層上に積層されて入射される光の大部分を反射させ、一部を透過させるための第2反射器と、該第2反射器上に積層され前記第2反射器を通過した光が出射される空洞を有する第2電極層とを備える光源を含めて、第1電極層の上面には前記光源が位置しない少なくとも一つの露出面が形成されており、露出面上に前記第1電極層を外部の電源と連結するための端子が備えられている。また、光ピックアップ装置は前述した光源と光検出器を用い、光経路上に光経路変換手段と対物レンズとを備えている。
請求項(抜粋):
半導体基板と、該半導体基板上に積層されて入射される光を吸収するための真性バッファー層と、前記真性バッファー層上に積層された第1電極層とを有する光検出器と、前記第1電極層上に積層されて入射される光の大部分を反射させ、一部を透過させるための第1反射器と、該第1反射器上に積層されて光を生成するための活性層と、前記活性層上に積層されて入射される光の大部分を反射させ、一部を透過させるための第2反射器と、該第2反射器上に積層され前記第2反射器を通過した光が出射される空洞を有する第2電極層とを備える光源とを含み、前記第1電極層の上面には前記光源が位置しない少なくとも一つの露出面が形成されており、前記露出面上に前記第1電極層を外部の電源と連結するための端子が更に備えられていることを特徴とする光検出器一体型表面光レーザ。
IPC (2件):
H01S 3/18 ,  H01L 31/12
FI (2件):
H01S 3/18 ,  H01L 31/12 H
引用特許:
審査官引用 (5件)
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