ポリ-3,4-アルケンジオキシチオフェン(PEDOT)およびポリスチレンスルホン酸(PSS)に基づく導電構造

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉武賢次 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-524167
公開番号（公開出願番号）：特表2003-509869
出願日： 2000年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月11日
要約：

【要約】電子素子は、ポリ-3,4-アルキレンジオキシチオフェンの塩を含む導電性レリーフ構造(3)を有する。この塩は、構造(3)に安定導電率を与える。この塩は多酸塩であるのが好ましい。ポリ-3,4-アルキレンジオキシチオフェンの多酸塩は、電気絶縁基板上にレリーフ構造を製造する方法に用いられる。10μm未満のトラック幅(tW)およびチャンネル長さ(cL)を有するトラック(311〜314、321〜324)およびチャンネル(141)を含むレリーフ構造(3)を実現することができる。トラック(311〜314;321〜324)は電極(31;32)として使用され、チャンネル(141)は、電子素子、特に電界効果トランジスタ(11)および発光ダイオードの半導体チャンネルとして用いられる。

請求項（抜粋）：

電気絶縁基板(2)の表面に導電性材料としてポリ(3,4-置換チオフェン)の塩を含む導電性レリーフ構造(3)を含んでなる電子素子であって、レリーフ構造(3)は、アルキレン基が、任意に置換されるメチレン基、1,2-エチレン基、1,3-プロピレン基および1,2-シクロヘキシレン基からなる群から選択されるポリ-3,4-アルキレンジオキシチオフェンの多酸塩を含み、かつレリーフ構造(3)が少なくとも1つの電極(32)を含むことを特徴とする、電子素子。

IPC (5件)：

H01L 51/00 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 29/786 , H01L 33/00

FI (7件)：

H01L 21/28 301 Z , H01L 33/00 E , H01L 29/28 , H01L 21/88 M , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 617 M

Fターム (40件)：

4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD62 , 4M104DD81 , 4M104EE03 , 4M104EE18 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F033GG00 , 5F033GG03 , 5F033HH00 , 5F033HH08 , 5F033HH38 , 5F033PP07 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033PP31 , 5F033QQ91 , 5F033VV06 , 5F033XX00 , 5F041AA43 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA98 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110HK01 , 5F110HM04

引用特許：

審査官引用 (6件)

伝導性被覆
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-128804 出願人：バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
電界発光素子
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-521442 出願人：ビーエーエスエフアクチェンゲゼルシャフト
エレクトロルミネセンス装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-181617 出願人：ビーエーエスエフアクチェンゲゼルシャフト

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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