特許
J-GLOBAL ID：200903021663102080

薄膜の転写によるインクジェットヘッドの製造方法

発明者：
野津 智史

野津 智史 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-342515
公開番号（公開出願番号）：特開2008-149659
出願日： 2006年12月20日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【課題】 Si基板上のSi酸化膜とSiとの接合においては、SiとSi酸化膜との熱膨張係数の差による応力が発生する。【解決手段】 薄膜PJヘッドの振動板を直接接合を用いて転写する際、メンブレン上の振動板のクラック、破壊を防止するため応力調整層を設ける。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
Si支持基板上に薄膜層を形成した支持基板体とSi基板に流路を形成したインク室構造体とを直接接合した後に、Si支持基板を除去して薄膜層をインク室構造体に転写するインクジェットヘッドの製造方法において、 1 第1の温度で支持基板体とインク室構造体を接合し 2 接合した支持基板体とインク室構造体のSi支持基板のみを除去し 3 薄膜層上に調整層を形成し 4 第1の温度よりも高温の第2の温度で熱処理を行い 薄膜層をインク室構造体に転写する事を特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
IPC (3件)：
B41J 2/16 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055
FI (2件)：
B41J3/04 103H ,  B41J3/04 103A
Fターム (5件)：
2C057AF93 ,  2C057AG55 ,  2C057AP32 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14
引用特許：
出願人引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM