特許

J-GLOBAL ID：200903021677559562

熱処理治具とその製造方法

発明者： 稲葉 毅 ,  武田 修一 ,  加藤 茂男 ,  佐々木 泰実 ,  伊藤 幸夫 ,  佐藤 勝憲
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146964
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335728
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 炭化珪素膜における不純物拡散速度を遅くする。【構成】 基材と、CVD法により基材の表面に形成された炭化珪素膜とを備えた半導体製造用の炭化珪素被覆熱処理治具において、基材の表面に対してほぼ平行な複数の層の形に炭化珪素膜を構成し、それらのうち少なくとも1つの層を核形成層とし、その他の層を通常結晶層とし、核形成層を挟んだ通常結晶層間の結晶成長が不連続であり、通常結晶層における炭化珪素の結晶成長を厚み方向に連続にしたことを特徴とする熱処理治具。

請求項（抜粋）：

基材と、CVD法により基材の表面に形成された炭化珪素膜とを備えた半導体製造用の炭化珪素被覆熱処理治具において、基材の表面に対してほぼ平行な複数の層の形に炭化珪素膜を構成し、それらのうち少なくとも1つの層を核形成層とし、その他の層を通常結晶層とし、核形成層を挟んだ通常結晶層間の結晶成長が不連続であり、通常結晶層における炭化珪素の結晶成長を厚み方向に連続にしたことを特徴とする熱処理治具。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体用処理部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180439   出願人：東芝セラミツクス株式会社
• 特開昭63-315596