特許

J-GLOBAL ID：200903021720150118

デュアルダマシン構造の形成方法

発明者： 塩田 淳
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101186
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299441
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体の配線形成に好適なデュアルダマシン構造の形成方法を提供する。【解決手段】 無機系絶縁膜上に有機系絶縁膜および金属酸化物膜を形成した積層構造に、パターン形成し、エッチングすることを特徴とするデュアルダマシン構造の形成方法。

請求項（抜粋）：

無機系絶縁膜上に有機系絶縁膜および金属酸化物膜を積層する工程を含むことを特徴とするデュアルダマシン構造の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/312 N ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 J

Fターム (47件)：

5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F058AD02 ,  5F058AD04 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AD12 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BC02 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD18 ,  5F058BD19 ,  5F058BE01 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-099593   出願人：ソニー株式会社