特許
J-GLOBAL ID:200903051884916983
半導体装置およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-099593
公開番号(公開出願番号):特開2000-294633
出願日: 1999年04月07日
公開日(公表日): 2000年10月20日
要約:
【要約】【課題】 2.0以下の比誘電率が期待できるキセロゲルの課題を、層間絶縁膜全体の実効的な比誘電率を大きく低下させることなく解決して、機械的強度、耐湿性、密着性等に優れた信頼性の高い層間絶縁膜構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 キセロゲル膜を含む層間絶縁膜12を備えた半導体装置において、層間絶縁膜12を、キセロゲル膜からなる第1の絶縁膜13と、第1の有機絶縁膜14と、キセロゲル膜からなる第2の絶縁膜15とで構成し、第2の絶縁膜15に配線溝31が形成され、第1の有機絶縁膜14から第1の絶縁膜13にわたって接続孔32が形成されたものである。
請求項(抜粋):
キセロゲル膜を含む層間絶縁膜を備えた半導体装置において、前記層間絶縁膜は、キセロゲル膜からなる第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成した第1の有機絶縁膜と、前記第1の有機絶縁膜上に形成したものでキセロゲルからなる第2の絶縁膜とからなり、前記第2の絶縁膜に形成された配線溝と、前記配線溝の底部に少なくとも接続するもので前記第1の有機絶縁膜から前記第1の絶縁膜にわたって形成された接続孔とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 21/768
, H01L 21/3065
, H01L 21/312
, H01L 21/316
, H01L 21/318
FI (9件):
H01L 21/90 S
, H01L 21/312 B
, H01L 21/312 N
, H01L 21/316 M
, H01L 21/316 P
, H01L 21/318 B
, H01L 21/318 M
, H01L 21/302 M
, H01L 21/90 Q
Fターム (88件):
5F004AA02
, 5F004BA13
, 5F004DA00
, 5F004DA02
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004DB12
, 5F004DB23
, 5F004DB25
, 5F004EA03
, 5F004EA05
, 5F004EA06
, 5F004EA07
, 5F004EA23
, 5F004EB01
, 5F004EB03
, 5F033HH11
, 5F033HH32
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033JJ32
, 5F033KK11
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ13
, 5F033QQ25
, 5F033QQ28
, 5F033QQ30
, 5F033QQ48
, 5F033QQ49
, 5F033QQ74
, 5F033RR00
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR09
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR24
, 5F033SS01
, 5F033SS02
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033TT04
, 5F033XX12
, 5F033XX18
, 5F033XX24
, 5F058AA04
, 5F058AA10
, 5F058AD02
, 5F058AD04
, 5F058AD06
, 5F058AD10
, 5F058AF01
, 5F058AF02
, 5F058AF04
, 5F058BA20
, 5F058BD02
, 5F058BD03
, 5F058BD04
, 5F058BD09
, 5F058BD10
, 5F058BD15
, 5F058BD19
, 5F058BF01
, 5F058BF02
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF29
, 5F058BF30
, 5F058BF46
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)