特許

J-GLOBAL ID：200903021721676032

光学活性含弗素ビナフトール誘導体

発明者： 小林 修 ,  石谷 暖郎
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327423
公開番号（公開出願番号）：特開2001-139508
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：

【要約】【課題】 より高い反応収率と光学収率(選択性)を不斉合成において可能とし、不斉触媒等として有用な、新規な光学活性ビナフトール誘導体と、これを用いた不斉触媒並びに不斉合成法を提供する。【解決手段】 次式(I)【化1】(式中のR1 およびR2 は、各々、弗素化炭化水素基を示す)で表わされる光学活性含弗素ビナフトール誘導体とする。

請求項（抜粋）：

次式(I)【化1】(式中のR1 およびR2 は、各々、弗素化炭化水素基を示す)で表わされる光学活性含弗素ビナフトール誘導体。

IPC (7件)：

C07C 39/38 ,  B01J 31/22 ,  C07B 53/00 ,  C07C 37/055 ,  C07C 37/62 ,  C07B 61/00 300 ,  C07M 7:00

FI (8件)：

C07C 39/38 ,  B01J 31/22 Z ,  C07B 53/00 C ,  C07B 53/00 B ,  C07C 37/055 ,  C07C 37/62 ,  C07B 61/00 300 ,  C07M 7:00

Fターム (67件)：

4G069AA02 ,  4G069AA08 ,  4G069BC16A ,  4G069BC16B ,  4G069BC16C ,  4G069BC17A ,  4G069BC17B ,  4G069BC17C ,  4G069BC22A ,  4G069BC22B ,  4G069BC22C ,  4G069BC25A ,  4G069BC25B ,  4G069BC25C ,  4G069BC41A ,  4G069BC41B ,  4G069BC41C ,  4G069BC50A ,  4G069BC50B ,  4G069BC50C ,  4G069BC51A ,  4G069BC51B ,  4G069BC51C ,  4G069BD03A ,  4G069BD03B ,  4G069BD03C ,  4G069BD05A ,  4G069BD05B ,  4G069BD05C ,  4G069BE34A ,  4G069BE34B ,  4G069BE34C ,  4G069BE37A ,  4G069BE37B ,  4G069BE37C ,  4G069CB57 ,  4G069FA01 ,  4G069FB77 ,  4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB40 ,  4H006AC30 ,  4H006AC52 ,  4H006AC80 ,  4H006AC81 ,  4H006BA02 ,  4H006BA05 ,  4H006BA08 ,  4H006BA09 ,  4H006BA10 ,  4H006BA11 ,  4H006BA13 ,  4H006BA28 ,  4H006BA32 ,  4H006BA37 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BN30 ,  4H006FC54 ,  4H006FE13 ,  4H006FE71 ,  4H006FE76 ,  4H039CA50 ,  4H039CB20 ,  4H039CB30 ,  4H039CD20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 希土類金属錯体触媒を用いる不斉エポキシ化反応
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-279226   出願人：日産化学工業株式会社
• 金属錯体を用いた不斉化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-046106   出願人：長瀬産業株式会社