特許
J-GLOBAL ID：200903021744182843
位相シフトフォトマスクの位相差調整方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-200844
公開番号（公開出願番号）：特開平7-056317
出願日： 1993年08月12日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 所望の位相シフト差をもった位相シフトフォトマスクを得る位相シフト差調整方法を提供する。【構成】 回路パターンが形成された位相シフトフォトマスク1・12の、位相シフト膜の膜厚が不足していれば、不足分の位相シフト差を補償するために開口部5の基板をエッチングし、超過していれば位相シフト部16の位相シフト膜をエッチングして、目標位相差をもった位相シフトフォトマスクを得る。エッチングの際、ポジレジスト35又はネガレジスト45を塗布し、露光、現像しておけば、ポジレジストにより位相シフト部33が保護され、ネガレジストにより開口部44が保護されるので、エッチング不要な部分を保護することができる。
請求項（抜粋）：
光の位相をシフトさせる位相シフト膜が成膜されたシフト部と前記位相シフト膜の開口部とで光透過性材料から成る基板上に所定パターンが形成された位相シフトフォトマスクの位相差調整方法であって、前記開口部を透過した光の位相である開口部位相と、前記シフト部を透過した光の位相であるシフト部位相の位相差を調整して該位相差を目標位相差とする方法において、前記位相差が目標位相差よりも不足している量である不足位相シフト量を求め、前記基板の単位厚み当たりの位相シフト量から前記不足位相シフト量に相当する基板の厚みを算出し、前記開口部の基板の前記厚み分をエッチングしてすることを特徴とする位相シフトフォトマスクの位相差調整方法。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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