特許
J-GLOBAL ID：200903021778487929
CVD装置のクリーニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-195617
公開番号（公開出願番号）：特開平11-043771
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 処理回数に依存せず、安定した膜を形成しつつ、従来のプラズマによるクリーニング工程を省略して、生産性の優れた半導体装置の製造を可能とする。【解決手段】 化学気相成長法を用いて金属又は金属化合物膜を成膜する際に、該金属の供給源として使用する金属ハロゲンを含む混合ガス111で真空チャンバー内101をパージすることにより、チャンバー内部に付着した膜110を除去する。
請求項（抜粋）：
金属ハロゲンガスの真空チャンバー内での還元分解反応による金属又は金属化合物膜の成膜を行うCVD装置のクリーニング方法であって、該真空チャンバー内に付着した金属又は金属化合物膜を、前記金属ハロゲンガスと希釈ガスとの混合ガスをチャンバー内に導入して除去することを特徴とするCVD装置クリーニング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/44 J
, H01L 21/285 C
