特許

J-GLOBAL ID：200903021788804272

マイクロメカニズムデバイスの製造方法

発明者： ウルリツヒ ネーエル ,  エンメリツヒ ベルタグノリ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-325049
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321645
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【課題】 金属層から成るマイクロメカニズムのパターンを腐食せずにフリーエッチングすることのできる方法を提供する。【解決手段】 センサ又はアクチュエータのようなマイクロメカニズムに用いられる金属層3を、例えば二酸化ケイ素から成る犠牲層1内に空洞9の腐食に使用されるエッチング剤の作用から保護するために例えばTiNから成る保護層7で囲む。この保護層7の下部及び上部を層として形成し、空洞9の腐食のために形成されたエッチング孔8内に補助保護層5を同形に析出し、金属層3が保護層7によって側方も覆われるように異方性に逆エッチングする。

請求項（抜粋）：

以下の各工程、a)犠牲層(1)の上にこの犠牲層を除去するために用いられる化学物質に耐性を示す材料から成る下部保護層(2)を施し、b)この下部保護層(2)の上に金属層(3)を施し、c)この金属層(3)の上にこの犠牲層を除去するために用いられる化学物質に耐性を示す材料から成る上部保護層(4)を施し、d)上部保護層(4)、金属層(3)及び下部保護層(2)内に少くとも1個のエッチング孔(8)を異方性にエッチングし、e)この犠牲層を除去するために用いられる化学物質に耐性を示す材料から成る補助保護層(5)を金属層(3)を完全に覆うように同形に析出し、f)この補助保護層(5)を、エッチング孔(8)内で犠牲層は露出され金属層(3)は完全に覆われたままであるように異方性に逆エッチングし、g)エッチング孔(8)を通して犠牲層をエッチングする。を特徴とするセンサ又はアクチュエータに用いられる金属層(3)を有するマイクロメカニズムデバイス製造方法。

IPC (6件)：

H01L 49/00 ,  C23C 28/00 ,  C23C 30/00 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/84 ,  F15B 15/10

FI (6件)：

H01L 49/00 Z ,  C23C 28/00 C ,  C23C 30/00 A ,  H01L 29/84 B ,  F15B 15/10 Z ,  H01L 21/306 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 圧電素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-353053   出願人：株式会社村田製作所
• 特表平5-501615