特許

J-GLOBAL ID：200903021813762881

半導体発光素子

発明者： 金 善 雲 ,  キム,ヒョン ギョン ,  金 制 遠 ,  チェ,イン ソク ,  李 規 瀚 ,  ▲呉▼ 正 鐸
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (1件)： 高村 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-120209
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135285
出願日： 2005年04月18日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】本発明は半導体発光素子に関するものである。【解決手段】基板31と、基板31上に順次に形成された第1導電型クラッド層と活性層及び第2導電型クラッド層を含む半導体発光素子において、基板31上にはその上面の少なくとも一辺に連結された少なくとも一つの側部パターン32が形成され、側部パターン32は発光素子の側面方向に放出される光を発光素子の上部または下部へ散乱または回折させるよう隆起部または沈下部で成ることを特徴とする半導体発光素子を提供する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

基板並びに、前記基板上に順次に形成された第1導電型クラッド層、活性層、及び、第2導電型クラッド層を備えた半導体発光素子において、 前記基板上には、その上面の少なくとも一辺に連結された少なくとも一つの側部パターンが形成されていて、 前記側部パターンは、当該発光素子の側面方向へ放出される光を当該発光素子の上部または下部へ散乱または回折させるよう、隆起部または沈下部で形成されていること、 を特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (9件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許出願公開第2003-57444号明細書
  

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-213490   出願人：日亜化学工業株式会社