特許
J-GLOBAL ID：200903056291506675

半導体発光素子

発明者：
仁木 勇

仁木 勇 について

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山田 元量

山田 元量 について

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佐野 雅彦

佐野 雅彦 について

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塩路 修司

塩路 修司 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-213490
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318441
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体発光素子において高い外部量子効率を安定に確保する。【解決手段】 基板表面上に基板とは材質の異なる少なくとも2層の半導体層と発光領域とを積層し、発光領域で発生した光を上記上側半導体層または基板から取り出すようにした半導体発光素子において、基板10の表面部分には発光領域12で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも1つの凹部20及び/又は凸部21を形成する。凹部及/又は凸部は半導体層11、13に結晶欠陥を発生させない形状とする。
請求項（抜粋）：
基板表面上に基板とは材質の異なる少なくとも2層の半導体層と発光領域とを積層構造に成膜し、発光領域で発生した光を上記上側半導体層又は下側基板から取り出すようにした半導体発光素子において、上記基板の表面部分には上記発光領域で発生した光を散乱又は回折させる少なくとも1つの凹部及び/又は凸部が形成され、該少なくとも1つの凹部及び/又は凸部が上記半導体層に結晶欠陥を発生させない形状をなしていることを特徴とする半導体発光素子。
FI (3件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (9件)
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