固体撮像装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078028
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267544
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】不要入射光による撮像画像のノイズを無くし、将来の画素微細化にも対応できる固体撮像装置を提供する。【解決手段】 P型の半導体基板1上の受光部3を3次元的にフェンス状に囲む第1〜第3埋め込み金属層5,8,11を第1〜第3絶縁膜4,7,10の溝に連続的に埋め込む。第3埋め込み金属層11の頂部外側全体を遮光用の3層目メタル12で覆う。第1〜第3埋め込み金属層5,8,11は、Cu・W・TiWの単層膜、またはCu・W・TiWとTiN・TiW・Tiとの複合膜を用いて形成し、3層目メタル12は、Al・Al-Si・Al-Cu・Cu・Wの単層膜、またはAl・Al-Si・Al-Cu・Cu・WとW・TiN・TiW・Tiとの複合膜を用いてトランジスタの配線用金属膜と同時にこれと電気的に接続しないように形成する。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板上に、受光部と複数のトランジスタで構成された画素セルがマトリックス状に配置され、上記複数のトランジスタを駆動するための駆動回路を備えた固体撮像装置において、上記受光部をフェンス状に囲む少なくとも2層以上の溝状の埋め込み金属層が積層された構造を有することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/14 , H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 5/335 U , H04N 5/335 E , H01L 27/14 D , H01L 27/14 A

Fターム (19件)：

4M118AA01 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA40 , 4M118CB14 , 4M118FA06 , 4M118FA28 , 4M118GB14 , 4M118GB15 , 4M118GB17 , 4M118GD04 , 5C024AX01 , 5C024CX01 , 5C024CX03 , 5C024CY47 , 5C024GX02 , 5C024GY33

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-354161
特開平3-044071
半導体デバイスのクラックストップ形成方法及び半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-293707 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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審査官引用 (6件)

特開平4-354161
特開平4-354161
特開平3-044071

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