特許

J-GLOBAL ID：200903021844802008

薄膜半導体装置およびその作製方法

発明者： 島田 浩行 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-343947
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176752
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極・配線と薄膜半導体領域(活性層)との間の信頼性を向上させ、特性の改善を図る。【構成】 島状の薄膜半導体領域の端部、特にゲイト電極が横断する部分にシリコンイオンを注入することによって、その部分をアモルファス化、すなわち、高抵抗化し、よって、ソース、ドレイン間のリーク電流を減少させる。

請求項（抜粋）：

島状の薄膜半導体領域と、前記半導体領域を横断するゲイト電極とを有する薄膜半導体装置において、前記半導体領域の周辺部にシリコンイオンの注入された領域が存在し、かつ、ゲイト電極が該領域を横断していることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 S ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-150469
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-163378   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 薄膜半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-343949   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所