特許

J-GLOBAL ID：200903021855536563

高周波イオン源

発明者： 酒井 滋樹 ,  高橋 正人
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227701
公開番号（公開出願番号）：特開2000-048734
出願日： 1998年07月27日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 高周波イオン源から引き出すイオンビーム中に含まれる水素イオンの成分比を小さくする。【解決手段】 この高周波イオン源2aは、複数の永久磁石14によって高周波電極6の内側にカスプ磁場を形成している。しかも、高周波電極6とプラズマ16との間に形成されるシース36中の前記カスプ磁場の強度を1〜3mTにしている。

請求項（抜粋）：

内部に水素希釈ジボランガス、水素希釈ホスフィンガスまたは水素希釈アルシンガスが導入されるものであって両端に開口部を有する筒状のプラズマ室容器と、このプラズマ室容器の一方の開口部を絶縁碍子を介在させて蓋をしている高周波電極と、この高周波電極と前記プラズマ室容器との間に高周波電力を供給して前記ガスを高周波放電によって電離させてプラズマを生成する高周波電源と、前記プラズマ室容器の他方の開口部付近に設けられていて前記プラズマからイオンビームを引き出す引出し電極系と、前記プラズマ室容器および高周波電極の部分に設けられていてそれらの内側にカスプ磁場を形成する複数の磁石とを備える高周波イオン源において、前記高周波電極とプラズマとの間に形成されるシース中の前記カスプ磁場の強度を1〜3mTにしていることを特徴とする高周波イオン源。

IPC (2件)：

H01J 27/16 ,  H01J 37/08

FI (2件)：

H01J 27/16 ,  H01J 37/08

Fターム (3件)：

5C030DD01 ,  5C030DE01 ,  5C030DE08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• イオンビーム引き出し方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-127958   出願人：日新電機株式会社
• 特開昭61-093534