特許
J-GLOBAL ID:200903021866502610
フォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法及びフォトレジスト組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-329308
公開番号(公開出願番号):特開2005-097331
出願日: 2003年09月22日
公開日(公表日): 2005年04月14日
要約:
【課題】 本発明は、フォトレジスト樹脂中の昇華物による生産ラインの汚染を低減し、生産性を向上させることができるフォトレジスト用フェノール樹脂を効率よく製造する方法、ならびに、この製造方法により得られたフォトレジスト用フェノール樹脂を含有するフォトレジスト用樹脂組成物を提供する。【解決手段】 下記(a)〜(c)工程を有することを特徴とするフォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法。(a)フェノール類とアルデヒド類とを反応させ、フェノール樹脂Aを合成する工程、(b)有機溶媒に溶解させた上記フェノール樹脂Aとアルデヒド類とを、固体触媒の存在下で反応させ、フェノール樹脂Bを合成する工程、及び、(c)上記フェノール樹脂Bを、上記固体触媒と分離した後、反応及び/又は濃縮する工程。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記(a)〜(c)工程を有することを特徴とするフォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法。
(a)フェノール類とアルデヒド類とを反応させ、フェノール樹脂Aを合成する工程、
(b)有機溶媒に溶解させた前記フェノール樹脂Aとアルデヒド類とを、固体触媒の存在下で反応させ、フェノール樹脂Bを合成する工程、及び、
(c)前記フェノール樹脂Bを、前記固体触媒と分離した後、反応及び/又は濃縮する工程。
IPC (3件):
C08G8/00
, C08G8/08
, G03F7/023
FI (3件):
C08G8/00 B
, C08G8/08
, G03F7/023 511
Fターム (26件):
2H025AA00
, 2H025AB14
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC01
, 2H025AD03
, 2H025BE01
, 2H025CB28
, 2H025CB29
, 2H025CB55
, 2H025CB56
, 2H025FA17
, 4J033CA02
, 4J033CA03
, 4J033CA04
, 4J033CA05
, 4J033CA12
, 4J033CA13
, 4J033CA14
, 4J033CB03
, 4J033CB21
, 4J033CC08
, 4J033CD06
, 4J033HA02
, 4J033HA12
, 4J033HB10
引用特許:
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