特許
J-GLOBAL ID:200903021866502610

フォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法及びフォトレジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-329308
公開番号(公開出願番号):特開2005-097331
出願日: 2003年09月22日
公開日(公表日): 2005年04月14日
要約:
【課題】 本発明は、フォトレジスト樹脂中の昇華物による生産ラインの汚染を低減し、生産性を向上させることができるフォトレジスト用フェノール樹脂を効率よく製造する方法、ならびに、この製造方法により得られたフォトレジスト用フェノール樹脂を含有するフォトレジスト用樹脂組成物を提供する。【解決手段】 下記(a)〜(c)工程を有することを特徴とするフォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法。(a)フェノール類とアルデヒド類とを反応させ、フェノール樹脂Aを合成する工程、(b)有機溶媒に溶解させた上記フェノール樹脂Aとアルデヒド類とを、固体触媒の存在下で反応させ、フェノール樹脂Bを合成する工程、及び、(c)上記フェノール樹脂Bを、上記固体触媒と分離した後、反応及び/又は濃縮する工程。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記(a)〜(c)工程を有することを特徴とするフォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法。 (a)フェノール類とアルデヒド類とを反応させ、フェノール樹脂Aを合成する工程、 (b)有機溶媒に溶解させた前記フェノール樹脂Aとアルデヒド類とを、固体触媒の存在下で反応させ、フェノール樹脂Bを合成する工程、及び、 (c)前記フェノール樹脂Bを、前記固体触媒と分離した後、反応及び/又は濃縮する工程。
IPC (3件):
C08G8/00 ,  C08G8/08 ,  G03F7/023
FI (3件):
C08G8/00 B ,  C08G8/08 ,  G03F7/023 511
Fターム (26件):
2H025AA00 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025CB28 ,  2H025CB29 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025FA17 ,  4J033CA02 ,  4J033CA03 ,  4J033CA04 ,  4J033CA05 ,  4J033CA12 ,  4J033CA13 ,  4J033CA14 ,  4J033CB03 ,  4J033CB21 ,  4J033CC08 ,  4J033CD06 ,  4J033HA02 ,  4J033HA12 ,  4J033HB10
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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