特許
J-GLOBAL ID：200903021878130688
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-175459
公開番号（公開出願番号）：特開2000-148583
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】読み出しに比較して書き込みが低速なフラッシュメモリを用いた半導体ディスク装置において、高速な書き込みを提供する。【解決手段】標準バス1、複数個のフラッシュメモリ4、データを一時保持するためのライトバッファメモリ5、プロセッサ2を有する。プロセッサ2は、データの書き込みの制御や、コマンドやステータスの授受や解析を行う。31は物理アドレスを発生するアドレス制御部、6はフラッシュメモリの書き込み電源であるVpp発生回路、71はメモリアドレスバスであり、72はデータバスである。プロセッサ2は、連続に書き込まれる1ワードのデータを任意のフラッシュメモリに書き込み、そのフラッシュメモリに次の1ワードのデータの書き込みが可能となるまでの待ち時間の間に、アクセス可能なフラッシュメモリに連続して書き込んでいく。
請求項（抜粋）：
システムバスに接続され、該システムバスから標準ディスクのコマンドおよびセクタデータを受け付けるバスインターフェースと、前記セクタデータを記憶する複数の不揮発性半導体メモリチップと、前記複数の不揮発性半導体メモリチップと接続され、前記セクタデータを、システム側から前記バスインターフェースを介して転送されてきた前記複数の不揮発性メモリチップに書込まれるべき書込みデータとして保持する、バッファメモリと、前記バスインターフェース、前記複数の不揮発性半導体メモリチップ、および前記バッファメモリと接続された制御部とを有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G06F 12/06 525
, G06F 3/06 540
, G06F 3/08
, G06F 12/00 560
G06F 12/06 525 A
, G06F 3/06 540
, G06F 3/08 H
, G06F 12/00 560 B
