3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-207978
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041585
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】レーザダイオードの共振器端面の鏡面度を向上させて、端面での光吸収を防止し、素子温度の上昇を抑制することで素子寿命を長期化する。【解決手段】レーザダイオードの下層に対する電極を形成するために、上層の一部をエッチングして下層の一部を露出させるエッチングを行い、その後に、上層と下層の電極を形成した後、共振器端面を形成するためのRIBEによるドライエッチングを行う。その後のその端面に対して、KOH 等でウエットエッチングを行う。これにより、ドライエッチングで形成された端面のダメージ層が除去される結果、端面の鏡面度が向上し、光吸収が抑制された。よって、素子温度の上昇が防止され、素子寿命が長期化した。

請求項（抜粋）：

基板上に3族窒化物半導体から成るp層とn層とを形成した3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、前記基板上に3族窒化物半導体から成る各層を形成し、共振器の端面を形成するために前記各層をドライエッチングし、ドライエッチングされた端面をエッチング液によるウエットエッチングすることから成る3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。

IPC (4件)：

H01S 3/18 , H01L 21/3065 , H01L 21/306 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C , H01L 21/302 D , H01L 21/306 S

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-099337
特開昭63-158888
特開昭61-099337

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