特許

J-GLOBAL ID：200903000439931499

半導体発光素子の製法

発明者： 園部 雅之
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057688
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255952
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 チッ化ガリウム系半導体層のエッチング面のダメージやコンタミネーションの付着をなくし、清浄なエッチング面がえられるとともに、エッチング面の段差を緩やかにして保護膜が設けられてもステップカバレジのすぐれた半導体発光素子がえられる製法を提供する。【構成】 基板1上に少なくともn型層3、4およびp型層6、7を含み活性層5を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の一部をエッチングする半導体発光素子の製法であって、前記半導体層のエッチングをドライエッチングにより行ったのちウェットエッチングにより行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくともn型層およびp型層を含み発光層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の一部をエッチングする半導体発光素子の製法であって、前記半導体層のエッチングをドライエッチングにより行ったのちウェットエッチングにより行うことを特徴とする半導体発光素子の製法。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/306 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-252174
  
• 面発光レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-039755   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-311824   出願人：松下電器産業株式会社