半導体装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061857
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273326
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【構成】本発明の第一においては、ゲ-ト電極を構成するW32やTiNの形成を、不純物拡散のための熱処理を行った後に行う。本発明の第二においては、不純物のイオン注入を行う前に、エッチングによって膜厚にばらつきが生じた半導体基板12表面に形成されている絶縁膜14表面上に新たに絶縁膜22を形成し直し、その後イオン注入を行う。【効果】本発明の第一によれば、熱処理によるWやTiNの膜応力の変化によるゲ-ト電極の劣化とWやTiNの膜表面の異常酸化を防ぐことができる。また本発明の第二によれば、ゲ-トエッジ部における絶縁破壊を防ぐことができ、またしきい値電圧VTHのばらつきとジャンクションリ-ク電流の増加を防ぐことができる。以上によりトランジスタに対する信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜表面上に導電性の膜を形成する工程と、前記導電性の膜表面上に積層に金属膜を形成する工程と、前記導電性の膜と前記金属膜を所定の形状にエッチングし電極を形成する工程と、前記半導体基板中に不純物を注入する工程と、前記半導体基板中に注入された前記不純物を熱処理により拡散する工程とを具備する半導体装置の製造方法において、前記金属膜を形成する工程は、前記半導体基板中に注入された前記不純物を熱処理により拡散する工程の後に行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/265 W

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-030145
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229272 出願人：富士通株式会社
特開平2-030145

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