特許
J-GLOBAL ID：200903021890598440
発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371354
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196142
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】ディスプレイ、光通信、照明やOA機器の光源などに利用できる3-5族窒化物半導体を利用した発光素子に係わり、特に、単一層領域から異なる発光スペクトルピークを発光可能な発光素子を提供することにある。【解決手段】p型窒化物半導体とn型窒化物半導体との間に少なくともInとGaを含有する窒化物半導体の発光層101を有する発光素子である。特に、発光層101は単一層内でInの組成比が異なる複数の混晶領域を有する発光素子である。
請求項（抜粋）：
p型窒化物半導体とn型窒化物半導体との間に少なくともInとGaを含有する窒化物半導体の発光層を有する発光素子であって、前記発光層は単一層内でInの組成比が異なる複数の混晶領域を有することを特徴とする発光素子。
Fターム (10件)：
5F041AA11
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
