特許
J-GLOBAL ID：200903021093179237

3族窒化物半導体発光素子

発明者：
浅見 慎也

浅見 慎也 について

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小池 正好

小池 正好 について

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小出 典克

小出 典克 について

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梅崎 潤一

梅崎 潤一 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-188370
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022527
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】単一画素で白色発光を得ること。【解決手段】10nmのIn0.20Ga0.80N から成る発光層5に亜鉛とシリコンが1 ×1020/cm3に添加されている。これにより、420nm のバンド端発光と570nm のドナー不純物レベルとアクセプタ不純物レベル間の発光が得られた。単一画素で白色の発光を得ることができる。
請求項（抜粋）：
3族窒化物半導体を用いた発光素子において、色度図上において、互いに、補色関係にある光を発光する発光層を設け、光取り出し面から放射される光を白色光としたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 F ,  H01L 21/205
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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