3族窒化物半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-188370
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022527
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】単一画素で白色発光を得ること。【解決手段】10nmのIn0.20Ga0.80N から成る発光層5に亜鉛とシリコンが1 ×1020/cm3に添加されている。これにより、420nm のバンド端発光と570nm のドナー不純物レベルとアクセプタ不純物レベル間の発光が得られた。単一画素で白色の発光を得ることができる。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体を用いた発光素子において、色度図上において、互いに、補色関係にある光を発光する発光層を設け、光取り出し面から放射される光を白色光としたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 F , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

3族窒化物半導体平面発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-248839 出願人：豊田合成株式会社
特開平4-010666
特開昭54-071590

全件表示

前のページに戻る