特許
J-GLOBAL ID：200903021905569824
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
油井 透
, 阿仁屋 節雄
, 清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-237303
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059858
出願日： 2004年08月17日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 基板表面上に付着した不純物を500°C以下の低温にて除去し、界面の不純物を限りなく低減した状態で高品質なエピタキシャル膜を形成する。【解決手段】 エピタキシャルプロセスシーケンスは、それぞれ共通する第1ステップから第3ステップで構成されるクリーニングプロセスAと、エピタキシャル成長プロセスBと有する。クリーニングプロセスAの第1ステップ103では、ウェハにモノシランガスを照射する。第2ステップ104では、塩素ガスを照射する。第3ステップ105では、水素ガスを照射する。第1ステップ103と第2ステップ104と第3ステップ105とを順次1回もしくは複数回繰り返すクリーニングプロセスAを行うことにより、ウェハ表面上に付着した不純物を除去する。クリーニングプロセスAを行った後、直ちにジシランガス、塩素ガス、水素ガスを用いて、エピタキシャル成長プロセスBを行う(ステップ106〜108)。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面の一部に絶縁層を有すると共にシリコン層が露出した基板を処理室内に搬入するステップと、
処理室内の基板にシラン系ガスまたはゲルマン系ガスを供給する第1ガス供給ステップと、
処理室内の基板に塩素系ガスもしくはフッ素系ガスを供給する第2ガス供給ステップと、
処理室内の基板に水素系ガスを供給する第3ガス供給ステップと、
第1ガス供給ステップと第2ガス供給ステップと第3ガス供給ステップとを順次1回もしくは複数回繰り返すことにより、基板表面上に付着した不純物を除去するクリーニングプロセスと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045AB05
, 5F045AC01
, 5F045AC03
, 5F045AF03
, 5F045BB14
, 5F045DP11
, 5F045DQ10
, 5F045EB13
, 5F045HA03
