特許

J-GLOBAL ID：200903021912030418

半導体装置の製造方法

発明者： 清利 正弘 ,  川崎 敦子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-042703
公開番号（公開出願番号）：特開2007-221058
出願日： 2006年02月20日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

【課題】半導体装置の微細化に伴う性能向上を図る半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板(101)にアイソレーション溝(105)を形成する工程と、前記アイソレーション溝中に単一または複数の絶縁膜からなる埋め込み絶縁膜(106)を埋め込む工程と、300°C以上700°C未満の真空または不活性ガス雰囲気中で前記埋め込み絶縁膜に対してアニールを行う工程と、を含む。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体基板にアイソレーション溝を形成する工程と、 前記アイソレーション溝中に単一または複数の絶縁膜からなる埋め込み絶縁膜を埋め込む工程と、 300°C以上700°C未満の真空または不活性ガス雰囲気中で前記埋め込み絶縁膜に対してアニールを行う工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/56

FI (6件)：

H01L21/76 L ,  H01L27/08 331A ,  H01L29/78 301R ,  H01L21/316 G ,  H01L21/316 P ,  C23C16/56

Fターム (46件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032AA49 ,  5F032AA69 ,  5F032AA77 ,  5F032BA02 ,  5F032BB06 ,  5F032CA17 ,  5F032DA04 ,  5F032DA33 ,  5F032DA74 ,  5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF02 ,  5F058BF29 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA39 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 素子分離領域の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-078773   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-163857   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-399544   出願人：株式会社東芝