特許
J-GLOBAL ID：200903021912299883

半導体発光素子、その製造方法およびそれを用いた光断層画像化装置

発明者：
森島 嘉克

森島 嘉克 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-009211
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170775
出願日： 2008年01月18日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：
【課題】0.90μm以上かつ1.15μm以下の中心波長帯の低コヒーレンス光を射出する半導体発光素子において、選択成長用マスクを除去せずに、広帯域な量子井戸層の形成と結晶品質の高い上部クラッド層の形成とを両立する。【解決手段】0.90μm以上かつ1.15μm以下の中心波長帯の低コヒーレンス光を射出し、かつGaAs基板11およびInGaAs量子井戸層15を有する半導体発光素子1において、選択成長を用いInGaAs量子井戸層15の形成を600°C以下の成長温度下で行い、選択成長用マスクを除去せずにInGaP上部クラッド層17の形成を600°C以上の成長温度下で行う。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
導電型GaAs基板の上に形成された下部クラッド層の上に、幅が段階的または連続的に変化する選択成長用マスクを形成して選択領域を形成する第1の工程と、 前記選択領域の上にInGaAsから構成される量子井戸層を少なくとも1層形成する第2の工程と、 前記量子井戸層の上にInGaPから構成される上部クラッド層を形成する第3の工程とを、少なくともこの順に含む半導体発光素子の製造方法において、 前記第2の工程を600°C未満の成長温度の下で行い、前記選択成長用マスクを除去せずに前記第3の工程を600°C以上の成長温度の下で行い、少なくとも前記第2の工程から前記第3の工程までを大気に暴露することなく行うことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/50 ,  H01S 5/22 ,  G01N 21/17 ,  A61B 10/00
FI (5件)：
H01S5/343 ,  H01S5/50 610 ,  H01S5/22 ,  G01N21/17 620 ,  A61B10/00 E
Fターム (22件)：
2G059AA05 ,  2G059BB08 ,  2G059BB12 ,  2G059EE02 ,  2G059EE09 ,  2G059EE12 ,  2G059FF02 ,  2G059GG02 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  5F173AA33 ,  5F173AA48 ,  5F173AB62 ,  5F173AB66 ,  5F173AF04 ,  5F173AH03 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP13 ,  5F173AP47 ,  5F173AQ12 ,  5F173AS01
引用特許：
出願人引用 (3件)

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