特許
J-GLOBAL ID:200903021932396249

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 弘男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-294657
公開番号(公開出願番号):特開平7-130497
出願日: 1993年10月29日
公開日(公表日): 1995年05月19日
要約:
【要約】【目的】 簡便な磁界制御手段で、均一な高密度プラズマを生成し、均一なエッチングレートを実現し、さらにチャージアップダメージを低減するプラズマ処理装置を提供すること。【構成】 プラズマ処理装置を、反応容器内に対向配置された一対の電極を有しかつその電極間に高周波電界を発生させる高周波電界発生機構と、前記容器の外側でかつ前記高周波電界発生機構により発生される高周波電界と空間的に重ならないような磁界を発生させるように配置された磁界発生用コイルからなる磁界発生機構とで構成した。
請求項(抜粋):
反応容器内に対向配置された一対の電極を有し、該電極間に高周波電界を発生させる高周波電界発生機構と、前記反応容器の外側でかつ前記高周波電界発生機構により発生される高周波電界と空間的に重ならないような磁界を発生させるように配置磁界発生機構とを備えたプラズマ処理装置。
IPC (3件):
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-092511   出願人:東京エレクトロン株式会社

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