特許

J-GLOBAL ID：200903021932609331

半導体歪ゲージおよび半導体歪ゲージの製造方法

発明者： 金子 新二
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078726
公開番号（公開出願番号）：特開2001-264188
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】本発明は、センサ自体の機械強度が低く、加えて出力の温度ドリフトが小さいことから、微小部材の歪み計測に当たって従来の金属箔歪みゲージの代わりに適用可能で、しかも、微小な歪みに対しても大きな出力を得ることが可能な半導体歪みゲージおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様によると、複数の電極が設けられた可撓性薄膜と、複数の電気素子が形成された半導体基板とを有し、上記可撓性薄膜は上記半導体基板に被着されており、上記複数の電極と上記複数の電気素子とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体歪ゲージが提供される。

請求項（抜粋）：

複数の電極が設けられた可撓性薄膜と、複数の電気素子が形成された半導体基板とを有し、上記可撓性薄膜は上記半導体基板に被着されており、上記複数の電極と上記複数の電気素子とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体歪ゲージ。

IPC (3件)：

G01L 1/18 ,  G01B 7/16 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 1/18 A ,  H01L 29/84 B ,  G01B 7/18 H

Fターム (22件)：

2F063AA25 ,  2F063BB05 ,  2F063BC09 ,  2F063CA40 ,  2F063CB01 ,  2F063EC03 ,  2F063EC06 ,  2F063EC13 ,  2F063EC14 ,  2F063EC20 ,  2F063EC28 ,  2F063LA27 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA05 ,  4M112CA06 ,  4M112CA13 ,  4M112DA04 ,  4M112DA12 ,  4M112EA03 ,  4M112EA07 ,  4M112EA14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体歪みセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-293990   出願人：株式会社デンソー
• フレキシブルシリコンひずみゲージ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-562727   出願人：ロゼマウントエアロスペイスインコーポレイテッド