特許

J-GLOBAL ID：200903021933990942

圧電体薄膜素子、その製造方法、並びにインクジェット式記録ヘッド

発明者： 村井 正己 ,  西脇 学 ,  橋本 和生 ,  阿武 俊彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社 ,  宇部興産株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-115093
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307832
出願日： 1998年04月24日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】保護膜と基板との密着性が劣化していない圧電体薄膜素子を提供する。【解決手段】 圧電体薄膜素子の基板12のほぼ全面上に保護膜14を形成する。この保護膜上にPZT膜のパターンに従って形成され圧電体薄膜を成長させて成形する際の基礎となる基礎層16とを備え、圧電体薄膜がこの基礎層上に形成されたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

圧電体薄膜が基板上に所定のパターンを持って形成され、前記圧電体薄膜に共通電極及び個別電極を介して通電することによって変形を生じさせるようにした圧電体薄膜素子において、前記基板のほぼ全面上に、この基板に直接前記圧電体薄膜が形成されないように当該基板を保護する保護層と、この保護膜上に前記パターンに従って形成され、前記圧電体薄膜を成長させて成形する際の基礎となる基礎層と、を備え、前記圧電体薄膜がこの基礎層上に形成されたことを特徴とする圧電体薄膜素子。

IPC (4件)：

H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 41/22

FI (3件)：

H01L 41/08 C ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/22 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 圧電素子ユニット及びその製造方法並びにその圧電素子ユニットを用いたインクジェット記録ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-178338   出願人：富士電機株式会社
• 圧電体薄膜素子及びその製造方法、並びにこれを用いたインクジェット式記録ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-077668   出願人：セイコーエプソン株式会社