特許

J-GLOBAL ID：200903061631476044

圧電体薄膜素子及びその製造方法、並びにこれを用いたインクジェット式記録ヘッド

発明者： 島田 勝人 ,  村井 正己 ,  角 浩二 ,  西脇 学
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-077668
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298324
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 水熱合成法による厚膜化が容易で、高い電圧ひずみ定数を持ち、微細なパターニングを行うことが可能な圧電体薄膜素子及びその製造方法、並びにこの圧電体薄膜素子を用いたインクジェット式記録ヘッドを提供する。【解決手段】 水熱合成法による圧電体薄膜の製造において、圧電体薄膜種結晶をゾルゲル法またはスパッタ法により形成し、前記圧電体薄膜種結晶の結晶粒径を0.05μm以上1μm以下とする。また、圧電体薄膜種結晶をゾルゲル法により形成する場合には、その結晶構造が(100)面に配向させ、スパッタ法により形成する場合には、(111)面に配向させる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、かつ圧電体薄膜を備えてなる圧電体薄膜素子において、前記圧電体薄膜は、次の特性を有することを特徴とする圧電体薄膜素子。厚さが1μm以上10μm以下結晶粒径が0.05μm以上1μm以下表面粗さがRmaxで1μm以下

IPC (5件)：

H01L 41/09 ,  B41J 2/16 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 41/22

FI (4件)：

H01L 41/08 C ,  B41J 3/04 103 H ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/22 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 誘電体結晶膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-033890   出願人：宇部興産株式会社