特許

J-GLOBAL ID：200903021935038173

シリコン膜の形成方法およびそのための組成物

発明者： 志保 浩司 ,  加藤 仁史
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375992
公開番号（公開出願番号）：特開2003-171556
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせず、大面積の基板にも対応可能であり、容易、安価に半導体薄膜を形成する方法およびそのために用いられるシラン組成物を提供すること。【解決手段】 上記課題は、一対の電極の間に、不純物の濃度および/または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層を、(A)式SinRmで表されるポリシラン化合物、(B)シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物、(C)シリコン粒子および場合により(D)ホウ素化合物、ヒ素化合物、リン化合物、アンチモン化合物および変性シラン化合物を含有するシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および/または光処理する工程を含む方法により形成する、太陽電池の製造方法。

請求項（抜粋）：

(A)式SinRm(ここで、nは3以上の整数であり、mはn〜(2n+2)の整数でありそしてm個のRは互いに独立に水素原子、アルキル基、フェニル基またはハロゲン原子である、但しm個のRの全てが水素原子であり且つm=2nであるとき、nは7以上の整数であるものとする。)で表されるポリシラン化合物、(B)シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物 並びに(C)シリコン粒子を含有することを特徴とするシラン組成物。

IPC (4件)：

C08L 83/16 ,  C01B 33/02 ,  C09D183/16 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

C08L 83/16 ,  C01B 33/02 E ,  C09D183/16 ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 V

Fターム (40件)：

4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072BB12 ,  4G072GG01 ,  4G072GG02 ,  4G072HH02 ,  4G072HH28 ,  4G072HH29 ,  4G072MM01 ,  4G072RR12 ,  4G072RR30 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4J002CP011 ,  4J002DA067 ,  4J002DA117 ,  4J002EX006 ,  4J002EX026 ,  4J002EY016 ,  4J002HA05 ,  4J038DL032 ,  4J038DL171 ,  4J038DL172 ,  4J038KA20 ,  4J038PA17 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051BA14 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA06 ,  5F051CA20 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24 ,  5F051CB25 ,  5F051FA04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-233617   出願人：シャープ株式会社