特許
J-GLOBAL ID：200903021945232857
炭素膜の製造方法及び被処理膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-155461
公開番号（公開出願番号）：特開平11-349305
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：
【要約】【課題】 孔の発生等による物理的欠陥が無く、組成の均質な炭素膜を、高配向性炭素材料の前駆体の熱処理によって得る。【解決手段】 窒素及びホウ素を含有している炭素膜を得るにあたり、この炭素膜の前駆体がポリイミドからなり、ホウ素を含む官能基が前記ポリイミドの骨格構造に導入されており、前記前駆体を熱処理によって炭素化する。
請求項（抜粋）：
窒素及びホウ素を含有している炭素膜を得るにあたり、前記炭素膜の前駆体がポリイミドからなり、前記ホウ素を含む官能基が前記ポリイミドの骨格構造に導入されており、前記前駆体を熱処理によって炭素化することを特徴とする、炭素膜の製造方法。
引用特許：
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