特許

J-GLOBAL ID：200903021954256629

不揮発性半導体記憶装置並びにその使用方法及び製造方法

発明者： 島田 喬
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-238421
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078549
出願日： 1994年09月06日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 低電圧で動作可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】 メモリセルM11〜M22を形成しているMISトランジスタのゲート絶縁膜を構成している強誘電体膜とSiO2 膜との間に中間電極を設ける。このため、情報の書き込み及び消去に際して強誘電体膜に印加する電圧はワード線W1、W2 と中間電極との間にのみ印加すればよく、MISトランジスタにチャネルを形成してワード線W1 、W2 とチャネルとの間に電圧を印加する必要がない。従って、強誘電体膜に印加する電圧を、閾値電圧に依存することなく決定することができる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極側の強誘電体膜とチャネル領域側の常誘電体膜とでゲート絶縁膜が構成されているMISトランジスタによってメモリセルが形成されている不揮発性半導体記憶装置において、前記強誘電体膜と前記常誘電体膜との間に中間電極が設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-108000   出願人：シャープ株式会社
• 半導体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-247714   出願人：ローム株式会社
• 不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-319930   出願人：ローム株式会社